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坩堝下降法（vb）長(zhǎng)晶爐
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本設(shè)備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長(zhǎng)（無銥法），將原料放在垂直的坩堝內(nèi)， 然后從坩堝尖端開始通過預(yù)設(shè)好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過緩慢降溫而生長(zhǎng)出單晶。
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